4GHz300mW InGaP/GaAs HBT功率管研制

• 作者: 刘新宇 吴德馨 和致经 樊宇伟 申华军 葛霁
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准 GaAs InGaP 功率异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 12-14
• 页数: 3页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 1641字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.01.004

摘要

通过采用发射极-基极金属自对准、发射极镇流电阻,电镀空气桥等工艺改善了器件的高频特性,提高了器件热稳定性与功率特性.当器件工作在AB类,工作频率为4 GHz,集电极偏置电压为3.5 V时,尺寸为16×(3 μm×15 μm)的功率管获得了最大输出功率为24.9 dBm(309.0 mW)、功率增益为8.1dB的良好性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	葛霁	中国科学院微电子研究所	10	72	5.0	8.0
4	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
5	申华军	中国科学院微电子研究所	14	68	5.0	8.0
6	樊宇伟	中国科学院微电子研究所	3	12	2.0	3.0