Zn掺杂对BST薄膜介电调谐性能的影响

• 作者: 印志强 赵兴中 陈章红
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 BST薄膜 掺杂 退火 介电性能 sol-gel
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 13-15
• 页数: 3页
• 分类号: TM22
• 字数: 2436字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.06.004

摘要

用sol-gel法在Pt/SiO2/Si基片上制备了未掺杂和掺杂Zn的钛酸锶钡(BST)薄膜.用XRD对BST薄膜进行了物相分析,研究了Zn掺杂对薄膜的表面形貌和介电调谐性能的影响.结果表明:室温下,随着Zn加入量的增加,BST薄膜的介电常数减小,介质损耗降低,介电调谐量增加.x(Zn)为0.025的BST薄膜具有最大的优越因子(FOM),其值为29.28.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵兴中	武汉大学物理科学与技术学院	35	134	6.0	10.0
2	陈章红	武汉大学物理科学与技术学院	2	5	1.0	2.0
3	印志强	武汉大学物理科学与技术学院	1	5	1.0	1.0