SiC颗粒增强体对铝基复合材料微弧氧化膜生长的影响

• 作者: 薛文斌
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微弧氧化 SiCP/2024铝基复合材料 陶瓷膜 生长机理
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 350-354
• 页数: 5页
• 分类号: TG174.45
• 字数: 2829字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2006.04.003

摘要

用微弧氧化方法在SiCP/2024铝基复合材料表面沉积出较厚的陶瓷膜,测定了陶瓷膜的生长曲线和相组成,提出了金属基复合材料微弧氧化膜生长模型.结果表明,微弧放电烧结作用下,膜层内SiCP增强体大部分已被熔化并氧化,只有少数残余的SiCP颗粒仍然保留在靠近界面的膜层内.SiCP增强体阻碍了微弧氧化膜的生长,但它并未破坏微弧氧化膜的完整性,这同铝基复合材料阳极氧化膜结构完全不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛文斌	北京师范大学低能核物理研究所射线束材料改性开放实验室	37	1416	17.0	37.0