非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性

• 作者: 张振兴 潘孝军 谢二庆 贾璐 韩卫华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶 GaN 空间电荷限制电流 缺陷
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 113-116
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 2165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.027

摘要

采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用.分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1×104cm-3和位于Ec-0.363eV的陷阱能级.测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
2	张振兴	兰州大学物理科学与技术学院	20	40	4.0	5.0
3	潘孝军	兰州大学物理科学与技术学院	13	38	4.0	5.0
4	贾璐	兰州大学物理科学与技术学院	4	7	2.0	2.0
5	韩卫华	兰州大学物理科学与技术学院	2	33	1.0	2.0