GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究

• 作者: 丁琨 李国华 王文杰 苏付海 蒋春萍 赵建华 邓加军 马宝珊
• 来源期刊: 光散射学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaMnAs合金 等离子体激元-LO声子耦合模 稀磁半导体 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 106-114
• 页数: 9页
• 分类号: O472
• 字数: 5845字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-5929.2006.02.002

摘要

理论分析了两种阻尼条件下重掺杂GaAs中的等离子体激元-LO声子耦合模,证实在小阻尼条件下耦合模的拉曼谱分为两支,而在大阻尼条件下只有一个耦合模可以被观测到.推导得到了只出现一个耦合模所需的最小阻尼的解析表达式.测量了Mn组分从2.6%到9%的GaMnAs合金的拉曼光谱.利用等离子体激元-LO声子耦合模理论进行了谱形拟合,得到了所测的GaMnAs合金中的空穴浓度.