开口隔离层上多晶硅薄膜制备

• 作者: 柳锡运 梁宗存 沈辉
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜电池 颗粒硅带 隔离层
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 369-372
• 页数: 4页
• 分类号: TK514
• 字数: 2313字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2006.04.011

摘要

在SSP硅带衬底上制备开口SiO2隔离层,在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层;然后以ZMR将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶,制备了SSP隔离层上多晶硅薄膜,并制备了多晶硅薄膜电池.研究结果表明:ZMR对籽晶层的区融、结晶效果比较理想,晶粒尺寸增大到厘米级长、毫米级宽;经过晶硅薄膜沉积后,开口隔离层的孔洞未完全被多晶硅薄膜层覆盖住;制备的电池的光特性参数Voc、Isc、FF都比较低,电池的最高转换效率为3.83%;指出了改进的工艺措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈辉		121	1808	24.0	37.0
2	梁宗存	中国科学院广州能源研究所	12	189	6.0	12.0
3	柳锡运	中国科学院广州能源研究所	4	65	3.0	4.0