伪闭锁路径法的应用

• 作者: 徐曦 胡健栋 许献国 赵刚
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 物理学
• 关键词: 体硅 CMOS器件 闭锁 伪闭锁路径法 单片机
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 43-45,48
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 2498字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.013

摘要

在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时,发现了一种新的抗闭锁方法--伪闭锁路径法.文章介绍了这种方法的基本原理,开发了一种抗闭锁电路实例.运用计算机仿真分析技术开发的抗闭锁电路,可以实现体硅CMOS器件的闭锁抑制."闪光I"瞬时辐照试验表明,该抗闭锁电路的触发阈值剂量率很低,只有1.3×104 Gy(Si)/s,能够成功抑制单片机系统的辐射感应闭锁.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐曦	中国工程物理研究院电子工程研究所	19	91	6.0	8.0
2	胡健栋	北京邮电大学电信工程学院	36	219	9.0	13.0
3	许献国	北京邮电大学电信工程学院	15	42	4.0	5.0
7	赵刚	中国工程物理研究院电子工程研究所	10	72	3.0	8.0