157 nm激光刻蚀晶体光纤SiO2机理的研究

• 作者: 李伟 李维来 李英
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 SiO2 刻蚀 光子晶体光纤
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 应用
• 页码范围: 601-604
• 页数: 4页
• 分类号: TG665
• 字数: 3781字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3806.2006.06.021

摘要

为了研究157 nm激光对SiO2材料的加工特性,用157 nm激光刻蚀晶体光纤的端面,以晶体光纤的微孔轮廓作为参照,对刻蚀深度和烧蚀程度进行定量地分析.157 nm激光的光子能量达7.9eV,能够被SiO2强烈地吸收,会在SiO2上诱导出点缺陷结构,产生大量的种子电子.同时光纤SiO2材料的掺杂使157 nm激光损伤的阈值大大降低,实际加工速率达210 nm/脉冲.结果表明,由于单光子雪崩电离吸收的速率远高于高阶多光子吸收的速率,所以157 nm激光对SiO2材料损伤的主要机理是单光子雪崩电离吸收过程,破坏其分别占一半的离子键和共价键.在刻蚀过程中会产生热量,但由于损伤产生的时间仅20 ns,形成的热影响区很小,故可得到较高的加工质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	武汉理工大学光纤传感技术与信息处理教育部重点实验室	49	280	10.0	16.0
2	李维来	武汉理工大学光纤传感技术与信息处理教育部重点实验室	13	50	5.0	6.0
3	李英	武汉理工大学光纤传感技术与信息处理教育部重点实验室	6	36	3.0	6.0