反馈式ECL记忆门的记忆性能和移位计数器

• 作者: 刘莹 方倩 方振贤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反馈式ECL记忆门的记忆性能 D锁存器 主从D触发器 5进制移位型计数器
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2184-2189
• 页数: 6页
• 分类号: TN431
• 字数: 3823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.12.023

摘要

经过数学论证表明,改进反馈式ECL(MFECL)门可在二个状态中任一态保持稳定,所以认为MFECL门就是一种ECL记忆门或D锁存器.提出了一种由两个ECL记忆门组成的ECL主从D触发器.在上述理论基础上,利用此主从D触发器设计出5进制移位型计数器.经过计算机模拟上述电路,验证了理论和电路的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘莹	黑龙江大学电子工程学院	43	97	6.0	8.0
2	方振贤	黑龙江大学电子工程学院	11	52	5.0	7.0
3	方倩	同济大学电子与信息工程学院	5	7	2.0	2.0