太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计

• 作者: 余金中 李成 林桂江 赖虹凯 陈松岩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si/SiGe 量子级联激光器 子带阱间跃迁 nextnano3
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 916-920
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2651字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.029

摘要

使用nextnano3模拟软件计算Si/Si1-xGex/Si量子阱的能带结构,对Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带结构进行设计,结果表明使用Ge组分为0.27～0.3,量子阱宽度为3nm的SiGe合金与垒宽为3nm的Si层构成对称应变级联异质结构,有利于优化THz Si/SiGe量子级联激光器结构.