富锌条件下生长氮掺杂氧化锌薄膜的光学和电学性质

• 作者: 吕有明 姚斌 张吉英 张振中 李炳辉 樊晓峰 王新 申德振 范希武 赵东旭
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌薄膜 X射线光电子谱 Mott转变
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 66-68
• 页数: 3页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 1697字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.01.012

摘要

报道了采用等离子体辅助分子束外延方法(P-MBE),利用NO作为N源和O源,在c-面蓝宝石(c-Al2O3)衬底上外延生长了N掺杂ZnO薄膜.X射线衍射谱(XRD)和吸收谱中都出现了不同于未掺杂样品的特性, X射线光电子谱(XPS)中也发现了N的受主信号.但是在霍尔效应(Hall-effect)测量中,发现该样品并没有出现预期的p型导电特性,而是出现载流子浓度很高(2.15×1020 cm-3)的n型导电特性.结合XPS结果和理论分析,认为在富Zn条件下生长会导致过量的填隙Zn原子,补偿了全部的受主后,又促使其出现了从半导体-金属的Mott转变.