硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响

• 作者: Chen Bomy 刘波 宋志棠 封松林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge2Sb2Te5 硅离子注入掺杂 方块电阻
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 158-160
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 1800字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.039

摘要

采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘波	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	266	2712	24.0	39.0
2	封松林	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	44	296	8.0	16.0
3	宋志棠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	51	197	8.0	12.0