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摘要:
非对称绝缘层无机EL显示器件是一种新颖的器件结构.成功制备了一批ZnS:Mn器件,其下介质层为厚100~200 nm的SrTiO3(ST)或Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)或Ta2O5薄膜,上介质层为厚600~1 100 nm的Ta2O5或ST/Ta2O5或HfO2/Ta2O5/Al2O3薄膜.发现以ST/Ta2O5为上介质层的器件具有适当的阈值电压、较高的L50和较陡的L-V曲线,以HfO2/Ta2O5/Al2O3为上介质层的器件具有较高的可靠性.
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文献信息
篇名 非对称绝缘层无机EL显示器件的研究
来源期刊 光电子技术 学科 工学
关键词 薄膜电致发光器件 不对称绝缘层 阈值电压 L-V曲线
年,卷(期) 2006,(2) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 88-90
页数 3页 分类号 TN104.3
字数 1186字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-488X.2006.02.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨云霞 华东理工大学材料科学与工程学院 30 361 11.0 18.0
2 陈国荣 华东理工大学材料科学与工程学院 51 249 7.0 14.0
3 肖田 华东理工大学材料科学与工程学院 6 17 3.0 4.0
7 林明通 华东理工大学材料科学与工程学院 7 26 3.0 4.0
8 徐毅 2 6 2.0 2.0
9 陈晨曦 4 10 3.0 3.0
10 楼均辉 6 15 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
薄膜电致发光器件
不对称绝缘层
阈值电压
L-V曲线
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光电子技术
季刊
1005-488X
32-1347/TN
16开
南京中山东路524号(南京1601信箱43分箱)
1981
chi
出版文献量(篇)
1338
总下载数(次)
4
总被引数(次)
7328
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