在半绝缘SiC衬底上制备的S波段2W碳化硅MESFET

• 作者: 李亮 潘宏菽 蔡树军 赵正平 陈昊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 微波 功率 MESFET
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 266-269
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 692字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.013

摘要

介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道和衬底之间的缓冲层为非有意掺杂的弱n型.欧姆接触用的帽层掺杂浓度约1019cm-3.器件制备采用了ICP刻蚀等技术.微波测试结果表明,1mm栅宽功率器件封装后在2GHz下输出功率达到了2W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡树军		7	25	3.0	5.0
2	赵正平		7	15	3.0	3.0
3	李亮		6	25	3.0	5.0
4	潘宏菽		7	38	4.0	6.0
5	陈昊		4	22	2.0	4.0