Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜的合成

• 作者: 张治国 郑光裕 郭玲玲
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜 反应蒸发法 XRD衍射图 温度特性 透过率
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 物理实验与应用
• 页码范围: 12-16
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2687字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2006.09.004

摘要

利用真空反应蒸发技术,在氧分压约为8.5×10-2Pa、衬底温度为400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜.研究了蒸发源材料质量比不同的样品的薄膜结构、透过率、薄膜的方块电阻和电阻率与温度的关系.实验结果表明,Sn1-x(In1-yCuy)xO透明导电薄膜具有优良的光电特性,而且制备出的Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜中In的含量大大减少,可以成为ITO薄膜的潜在替代材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张治国	泉州师范学院理工学院	16	31	2.0	5.0
2	郭玲玲	泉州师范学院理工学院	1	0	0.0	0.0
3	郑光裕	泉州师范学院理工学院	1	0	0.0	0.0