利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET

• 作者: 俞跃辉 宋朝瑞 程新红 袁凯 许仲德
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅-绝缘体 体连接 横向双扩散金属氧化物半导体
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 523-525
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 1700字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.07.013

摘要

对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接.采用与常规1μm SOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOX SOI片上制备了LDMOS结构的功率器件.器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应.当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm.当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA.电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高性能的SOI功率器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程新红	温州大学物理与电子信息学院	7	12	2.0	3.0
2	宋朝瑞	中科院上海微系统与信息技术研究所	4	2	1.0	1.0
3	俞跃辉	中科院上海微系统与信息技术研究所	4	2	1.0	1.0
4	袁凯		11	8	1.0	2.0
5	许仲德		8	6	1.0	1.0