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摘要:
用于探测X射线的锂漂移型硅探测器需在液氮条件下低温保存和使用,因此限制了其应用范围.介绍了一种采用电致冷方式的新型半导体探测器,并通过把液氮致冷的Si(Li)探测器与电致冷的Si-PIN探测器进行比较,论证了电致冷方法的可行性.
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离子注入型
金硅面垒型
表面技术在半导体致冷器件中的应用
半导体致冷器件
表面技术
阳极氧化
电镀
化学镀
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 新型电致冷半导体探测器的应用
来源期刊 物探与化探 学科 地球科学
关键词 半导体探测器 电致冷方法 Si(Li)探测器 Si-PIN探测器
年,卷(期) 2006,(4) 所属期刊栏目 仪器研制与开发
研究方向 页码范围 374-376
页数 3页 分类号 P631
字数 2583字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-8918.2006.04.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 侯新生 成都理工大学应用核技术与自动化工程学院 33 271 10.0 16.0
2 吕军 成都理工大学应用核技术与自动化工程学院 6 30 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
半导体探测器
电致冷方法
Si(Li)探测器
Si-PIN探测器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物探与化探
双月刊
1000-8918
11-1906/P
大16开
北京学院路29号遥感中心
2-334
1979
chi
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