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一种基于MEMS的射频低相位噪声压控振荡器的研制
一种基于MEMS的射频低相位噪声压控振荡器的研制
作者:
吕苗
张志国
李丽
杨瑞霞
赵正平
郭文胜
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
MEMS
可变电容
Q值
压控振荡器
相位噪声
摘要:
利用微机械可变电容作为频率调节元件,制备了一种中心频率为2GHz的 LC VCO.微机械可变电容的控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为38.462.MEMS VCO的测试结果表明,偏离2.007GHz的载波频率100kHz处的单边带相位噪声为-107.5dBc/Hz,输出功率为-13.67dBm.对微机械可变电容引起的机械热噪声以及减小空气压膜阻尼来降低相位噪声的方法进行了讨论,提出了一种优化阻尼孔数目的方法.
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压控振荡器
Cadence
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相位噪声
一种低相位噪声的CMOS毫米波压控振荡器
压控振荡器
低相噪
负阻
滤波
低相位噪声低功耗LC压控振荡器的设计
压控振荡器
相位噪声
尾电流整形滤波
内容分析
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引文网络
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文献信息
篇名
一种基于MEMS的射频低相位噪声压控振荡器的研制
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
MEMS
可变电容
Q值
压控振荡器
相位噪声
年,卷(期)
2006,(5)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
900-904
页数
5页
分类号
TN753.9
字数
2391字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.026
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨瑞霞
180
759
13.0
18.0
2
赵正平
河北工业大学信息工程学院
22
61
5.0
5.0
6
吕苗
中国电子科技集团公司第十三研究所
10
34
4.0
5.0
7
张志国
河北工业大学信息工程学院
17
48
5.0
5.0
9
李丽
河北工业大学信息工程学院
27
94
6.0
9.0
15
郭文胜
中国电子科技集团公司第十三研究所
8
28
4.0
5.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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二级参考文献
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共引文献
(2)
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节点文献
引证文献
(5)
同被引文献
(6)
二级引证文献
(21)
1966(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1998(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
2000(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2002(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2003(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2004(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2005(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2010(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2011(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2012(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
2014(4)
引证文献(1)
二级引证文献(3)
2015(5)
引证文献(1)
二级引证文献(4)
2016(4)
引证文献(0)
二级引证文献(4)
2017(4)
引证文献(1)
二级引证文献(3)
2018(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
2019(3)
引证文献(0)
二级引证文献(3)
研究主题发展历程
节点文献
MEMS
可变电容
Q值
压控振荡器
相位噪声
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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