分子束外延系统束流系综理论分析

• 作者: 姬荣斌 宋立媛 李艳辉 杨玉林 赵俊
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束流 系综 巨正则系统
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 466-469
• 页数: 4页
• 分类号: TN213
• 字数: 2856字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2006.08.008

摘要

分子束外延(MBE)生长薄膜材料是一种非平衡态生长,生长过程主要由分子束流和晶体表面反应动力学控制.分子束流控制对生长的影响很大,真空蒸发理论导出的平衡蒸气压模型是目前描述分子束流的主要模型之一,但在实际应用中,模型在高蒸气压条件下对束流的描述存在较大偏差,制约生长的薄膜的化学组分均匀性和结构的单晶完整性的提高.本文系统研究了MBE生长HgCdTe薄膜过程的束流情况,采用系综理论,建立巨正则理论模型模拟束流情况,实验表明,相比平衡蒸气压模型,该模型能更准确的描述分子束流的本征物理行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬荣斌		50	200	7.0	10.0
2	杨玉林		6	13	2.0	3.0
3	宋立媛		10	39	3.0	5.0
4	李艳辉		14	24	3.0	4.0
5	赵俊		19	57	4.0	6.0