四氧化三铁薄膜的电子输运性能

• 作者: 刘技文 刘晖 王健 王雅欣
• 来源期刊: 天津理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 四氧化三铁 半金属 自旋电子学
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: O485
• 字数: 2732字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-095X.2006.05.003

摘要

四氧化三铁薄膜以其100%的自旋极化率、高居里温度及巨磁电阻效应等优异的自旋相关的电子输运性能,成为磁随机存储器、磁记录读出磁头和磁传感器等自旋电子学器件的重要材料.本文从电阻率、磁电阻效应、霍尔效应三方面综合阐述了四氧化三铁薄膜电子输运性能的发展及现状,并展望了其在磁记录方面的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘技文	天津理工大学材料科学与工程学院	25	91	5.0	8.0
2	王雅欣	南开大学信息学院	3	16	3.0	3.0
3	刘晖	南开大学信息学院	5	38	3.0	5.0
4	王健	天津理工大学材料科学与工程学院	2	5	1.0	2.0