激光烧蚀制备掺铒纳米硅晶薄膜形貌研究

• 作者: 傅广生 刘云山 周阳 彭英才 王英龙 褚立志
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺铒纳米硅晶薄膜 退火温度 表面形貌
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 619-622
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2183字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2006.05.010

摘要

采用XeCl准分子激光器交替烧蚀单晶硅靶和铒靶, 通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺铒浓度, 在2×10-4 Pa真空下沉积制备了掺铒非晶硅薄膜, 经900～1200 ℃热退火实现纳米晶化. 扫描电子显微镜图像显示, 铒掺杂影响着薄膜的表面形貌, 与不掺铒情况相比, 可以得到晶粒尺寸分布更均匀的薄膜, 并且晶化温度更低. 对于一个固定掺铒浓度的样品, 随着退火温度的增加, 薄膜由晶粒结构转化为迷津结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
3	褚立志	河北大学物理科学与技术学院	47	155	7.0	10.0
4	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
5	周阳	河北大学物理科学与技术学院	21	130	7.0	11.0
6	刘云山	河北大学物理科学与技术学院	9	17	2.0	3.0