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摘要:
采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.优化工艺(700 ℃,20 Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀.室温光致发光(PL)谱分析结果表明,随着薄膜生长时O2分压的增大,近带边紫外发光峰与深能级发光峰之比显著增强,表明薄膜的结晶性能和化学计量比都有了很大的改善.O2分压为20 Pa时所生长的ZnO薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量.
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文献信息
篇名 脉冲激光沉积(PLD)法生长高质量ZnO薄膜及其发光性能
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 ZnO薄膜 脉冲激光沉积 光致发光
年,卷(期) 2006,(6) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 958-962
页数 5页 分类号 O472.3|O482.31
字数 2266字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.06.023
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李效民 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室 24 197 10.0 13.0
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ZnO薄膜
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大16开
长春市东南湖大路16号
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1970
chi
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