生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响

• 作者: 侯洵 巨楷如 张景文 徐庆安 杨晓东 贺永宁
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 生长温度 激光分子束外延 X射线衍射 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 248-252
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2798字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.010

摘要

在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析.测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差.说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析.