过量PbO、MgO对PMN-PT陶瓷介电性能的影响

• 作者: 刘霞 曹万强
• 来源期刊: 湖北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: PMN-PT陶瓷 介电性能 微观结构 弥散相变
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学与电子技术
• 页码范围: 263-265
• 页数: 3页
• 分类号: TM282
• 字数: 1458字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2006.03.013

摘要

为减少焦绿石相,采用二次合成法制备0.67PMN-0.33PT陶瓷,研究过量PbO、MgO对0.67PMN-0.33PT陶瓷结构和介电性能的影响.结果表明,过量PbO和MgO都能减少介电损耗,但是过量PbO同时降低了介电常数.过量PbO和过量MgO对样品的相变温度Tm没有影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹万强	湖北大学物理学与电子科学技术学院	73	277	8.0	15.0
2	刘霞	湖北大学物理学与电子科学技术学院	14	33	3.0	5.0