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东京理工学院制造出InGaZnO透明半导体
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | 东京理工学院制造出InGaZnO透明半导体 | ||
| 来源期刊 | 半导体信息 | 学科 | 经济 |
| 关键词 | INGAZNO 电子纸 挠性 无定形硅 显示设备 计算机芯片 载流子迁移率 制造工艺 淀积 随机排列 | ||
| 年，卷（期） | bdtxx_2006,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 32-33 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | F416.63 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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研究主题发展历程
节点文献
INGAZNO
电子纸
挠性
无定形硅
显示设备
计算机芯片
载流子迁移率
制造工艺
淀积
随机排列
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相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
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