射频磁控溅射法制备(111)取向Pt薄膜

• 作者: 刘心宇 成钧 江民红 顾正飞
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: Pt Pr 薄膜 (111)择优取向 射频磁控溅射 热处理工艺 生长机制
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 33-36,44
• 页数: 5页
• 分类号: TB43|TB31
• 字数: 3326字
• 语种: 中文

摘要

以稀土元素Pr薄膜为缓冲层,采用低功率射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功制备了(111)强烈取向的Pt薄膜,研究了退火热处理工艺对Pt薄膜择优取向及晶粒尺寸的影响规律,并对Pt(111)取向生长机制进行了初步探讨.结果表明,所采用的退火工艺能够促进Pt纳米晶粒的逐步长大,但对Pt薄膜沿(111)择优取向生长的影响并不明显;保温5 h时晶粒生长较快,延长保温时间对晶粒生长速度的影响不大,但随着退火时间的增加,薄膜质量会越来越好.稀土Pr对Pt(111)择优取向生长可能有一定的促进作用.从简化工艺及降低成本角度考虑,该工艺优于以往的制备工艺,可望用做制备高取向PZT铁电薄膜所需的(111)强烈取向Pt底电极.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘心宇	桂林电子工业学院信息材料科学与工程系	224	1450	18.0	23.0
2	江民红	桂林电子工业学院信息材料科学与工程系	50	214	8.0	11.0
3	顾正飞	桂林电子工业学院信息材料科学与工程系	53	138	6.0	9.0
4	成钧	桂林电子工业学院信息材料科学与工程系	51	227	8.0	11.0