离子束辅助磁控溅射低温沉积ITO透明导电薄膜的研究

• 作者: 张官理 望咏林 沈玫 纪建超 贺会权 颜悦
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 低温沉积 离子束辅助沉积 磁控溅射 ITO 透明导电薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 7-9
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 2542字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2006.04.002

摘要

本文对离子束辅助磁控溅射低温沉积的ITO薄膜进行了研究,重点考察了辅助离子束能量对ITO薄膜的光电性能和晶体结构的影响.结果表明:当Ar/O2辅助离子束能量为900 eV左右时能够有效改善ITO薄膜的光电性能,在从非晶到多晶的转变过程中ITO薄膜具有较低的电阻率.在聚碳酸酯(PC)基片上制备了平均可见光透过率81.0%、电阻率为5.668×10-4ohm cm、结构致密且附着力良好的ITO薄膜,基片无变形.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张官理		27	264	8.0	15.0
2	颜悦		46	373	11.0	18.0
3	望咏林		11	209	7.0	11.0
4	纪建超		9	36	4.0	5.0
5	沈玫		6	58	3.0	6.0
6	贺会权		3	53	3.0	3.0