质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较

• 作者: 刘运宏 孙旭芳 张新辉 王荣 郭增良
• 来源期刊: 北京师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/Ge太阳电池 质子辐照 电子辐照
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 489-491
• 页数: 3页
• 分类号: TM91
• 字数: 2295字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2006.05.012

摘要

利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王荣		13	105	7.0	9.0
2	郭增良		4	46	3.0	4.0
3	张新辉		3	44	3.0	3.0
4	孙旭芳		3	39	2.0	3.0
5	刘运宏		3	39	2.0	3.0