二次阳极氧化法制备多孔氧化铝膜

• 作者: 周斌 徐展 徐翔 沈军 王孝利 邬镝
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 多孔氧化铝膜 纳米孔阵列 自组织
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 页码范围: 61-66
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.451
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2006.z1.014

摘要

文章介绍采用二次阳极氧化法制备孔洞规则、有序的多孔氧化铝膜的工艺.多孔阳极氧化铝(AAO)膜孔径为20～100 nm,孔道相互平行且垂直于表面,深度可达50μm.详细分析了第1次阳极氧化、去除氧化层、第2次阳极氧化、扩孔过程中孔结构发生的变化.研究了不同电解液、阳极氧化温度、外加电压等对多孔氧化铝结构的影响.分析了多孔氧化铝膜的表面及侧面形貌、表面微区成分.在草酸溶液中氧化所得的AAO膜孔径相对在硫酸溶液中的较大.在一定范围内,增加氧化温度及氧化电压能提高AAO膜孔径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周斌	同济大学波尔固体物理研究所	140	1582	22.0	31.0
2	沈军	同济大学波尔固体物理研究所	199	2285	26.0	36.0
3	徐翔	同济大学波尔固体物理研究所	51	174	8.0	11.0
4	邬镝	同济大学波尔固体物理研究所	2	12	2.0	2.0
5	王孝利	同济大学波尔固体物理研究所	3	23	2.0	3.0
6	徐展	同济大学波尔固体物理研究所	3	19	2.0	3.0