在TEA-CO2强激光脉冲作用下Hg0.8 Cd0.2 Te晶片表面的组分变化

• 作者: 左都罗 朱海红 程祖海 蔡虎
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 组分变化 激光辐照 TEA-CO2脉冲激光
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 165-169
• 页数: 5页
• 分类号: TN249|O483
• 字数: 4414字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2006.03.002

摘要

利用场发射扫描电子显微镜对TEA-CO2强激光脉冲辐照的Hg0.8Cd0.2Te晶片表面进行了观察,并利用电镜自带的能谱分析仪对其表面进行了成分分析.在单脉冲能量为1.91J,峰值功率密度为2.63×107W/cm2的脉冲CO2激光辐照下,晶片表面呈现出熔融迹象,且晶片表面的化学组分比发生明显的变化.理论与实验研究结果表明:激光急速加热使晶体表面的Hg-Te键破坏,从而导致Hg损失,而Hg损失程度与热作用过程的时间有关.随着脉冲作用次数的增加,多脉冲的连续作用使Hg损失加剧,晶片表面成分变化更加突出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左都罗	华中科技大学激光技术国家重点实验室	47	184	7.0	10.0
2	程祖海	华中科技大学激光技术国家重点实验室	97	785	14.0	21.0
3	朱海红	华中科技大学激光技术国家重点实验室	15	130	7.0	11.0
4	蔡虎	华中科技大学激光技术国家重点实验室	4	65	3.0	4.0