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摘要:
通过对掩模衬底材料和掩模加工工艺利用硬性分界条件可满足45 nm及以下技术节点的掩模要求.此外类似于折射指数、平整度、成分、均匀性和应力等衬底材料的固有特性严重地影响到掩模加工性能和光刻性能.评述了45 nm及以下技术节点对空白材料,掩模及晶片层面的要求.指出了对于关键问题及出现的问题的可仿效实施的方法,最后研究了集成用于高效光掩模工厂的掩模材料的实际情况分析.
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文献信息
篇名 掩模材料与新颖的衬底方案关键问题及新的良机
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 极紫外光刻 45nm技术节点 光掩模 掩模材料 掩模制作
年,卷(期) 2006,(4) 所属期刊栏目 专题报道
研究方向 页码范围 23-30
页数 8页 分类号 TN305.7
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
极紫外光刻
45nm技术节点
光掩模
掩模材料
掩模制作
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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3731
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