Li-N-H共掺法制备p型ZnO薄膜

• 作者: 卢洋藩 叶志镇 曾昱嘉 朱丽萍 赵炳辉 陈兰兰
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: p-ZnO 磁控溅射 共掺
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1511-1514
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|O484
• 字数: 2131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.06.039

摘要

采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜.XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm,Hall迁移率为0.5cm2/(V·s),空穴浓度为4.92×1017/cm3.此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	卢洋藩	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	30	3.0	5.0
5	曾昱嘉	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	71	5.0	8.0
6	陈兰兰	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	45	2.0	2.0