厚胶光刻中曝光光强对光化学反应速率的影响

• 作者: 刘波 唐雄贵 杜惊雷 温圣林 罗伯靓 董小春 郭永康
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 厚胶光刻 光化学反应 光强 动力学模型
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 微细加工技术
• 页码范围: 36-40
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2480字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2006.05.008

摘要

针对用于厚层光刻的重氮萘醌类正性光刻胶,利用动力学模型,分析了光化学反应速率的影响因素;给出了光化学反应速率明显受光强变化的影响以致互易律失效的原因.对厚度24μm的光刻胶AZ P4620在相同曝光量而光强分别为3.2mW/cm2和0.63mW/cm2的条件下进行了数值模拟和实验.当曝光光强为3.2mW/cm2时仅需300s,即可显影完全,而当曝光光强为0.63mW/cm2时需要的时间长达2400s,才显影完全,且面形轮廓差异较大.因此,在厚胶光刻中,当曝光光强较大时应适当减小曝光量,反之,应适当增加曝光量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭永康	四川大学物理科学与技术学院	87	836	16.0	21.0
2	刘波	四川大学物理科学与技术学院	71	531	12.0	21.0
3	杜惊雷	四川大学物理科学与技术学院	77	611	13.0	18.0
4	唐雄贵	四川大学物理科学与技术学院	21	174	7.0	12.0
5	温圣林	四川大学物理科学与技术学院	7	38	4.0	6.0
6	罗伯靓	四川大学物理科学与技术学院	1	7	1.0	1.0