电子束曝光模拟中电子弹性散射的新模型

• 作者: 李艳秋 赵国荣
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束曝光(EBL) 卢瑟福弹性散射模型 Thomas-Fermi-Dirac(TFD)势能 相对论修正
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 电子束技术
• 页码范围: 8-11
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2512字
• 语种: 中文

摘要

传统的卢瑟福弹性散射模型不适用于描述电子和原子序数较高(Z＞4)的材料的弹性相互作用.给出一种模型,此模型采用Thomas-Fermi-Dirac(TFD)势能作为原子势,利用波恩近似法解薛定谔波动方程,得到弹性散射截面.利用此模型计算了H,Li,C,O和Si几种元素的弹性散射截面,并将结果和卢瑟福弹性散射模型的结果以及弹性散射的精确模型--Mott截面模型的结果进行了比较,发现在入射电子能量较高(E＞5 keV),材料原子序数较大(Z＞4)的条件下,此模型的计算结果和Mott截面的结果很接近,说明在该条件下此模型比卢瑟福弹性模型更精确,适用于描述高能电子和较高原子序数材料的弹性相互作用.此外,还对此模型进行了相对论修正,发现当入射电子能量达到100 keV时,相对论效应很明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳秋	中国科学院电工研究所	35	388	12.0	18.0
2	赵国荣	中国科学院电工研究所	3	19	1.0	3.0