GaN基激光器电子阻挡层的优化分析

• 作者: 徐科 李倜 潘华璞 胡晓东
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 GaN AlGaN 电子阻挡层
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1458-1462
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3632字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.024

摘要

从载流子输运机制的角度,分析了影响GaN基激光器中有源区电流溢出的因素,对AlGaN电子阻挡层中Al组分和p型掺杂水平进行了优化.结果表明,当p型掺杂水平增高时,所需要的势垒高度减小,即Al组分减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李倜		1	3	1.0	1.0
2	潘华璞		1	3	1.0	1.0
3	徐科		1	3	1.0	1.0