基片对SrTiO3薄膜结构与介电性能的影响

• 作者: 何世明 刘兴钊 李言荣
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 SrTiO3薄膜 基片 微观结构 介电性能
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 分类号: TM21
• 字数: 2532字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.04.012

摘要

对比研究了MgO和LaAlO3(LAO)单晶基片上采用脉冲激光法生长的SrTiO3(STO)薄膜的微观结构和介电性能.通过XRD,AFM和制备叉指电容测量的方法研究发现,在MgO基片上生长高质量(00L)织构STO薄膜需要较高的生长温度;LAO基片上的STO薄膜更加平整;而MgO上的STO薄膜具有更高的零偏压介电常数和更强的非线性介电性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
2	刘兴钊	电子科技大学微电子与固体电子学院	56	310	9.0	14.0
3	何世明	电子科技大学微电子与固体电子学院	9	39	3.0	6.0