MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究

• 作者: 戴江南 方文卿 李冬梅 李璠 江风益 王立 苏宏波 蒲勇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 金属Ti Si衬底 金属有机化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 63-65,70
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1978字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.014

摘要

本文采用常压MOGVD方法在Ti/Si(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源.Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长.采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能.结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜.