半导体器件辐射效应及抗辐射加固

• 作者: 李致远
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 双极型器件 MOS器件 辐射效应 辐射加固
• 年，卷（期）: 2006,（19）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 138-141
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2006.19.049

摘要

随着空间技术、核技术和战略武器技术的发展,各种电子设备已经广泛用于人造卫星、宇宙飞船、运载火箭、远程导弹和核武器控制系统中.构成电子设备的电子元器件不可避免地要处于空间辐射和核辐射等强辐射应用环境之中,辐射作用会对元器件性能造成不同程度的破坏,进而使整个电子设备发生故障.介绍了微电子器件应用中可能遇到的两类辐射环境,着重分析了辐射对半导体材料与器件的作用机理和不同类型器件的辐射诱生失效模式,分别介绍了对双极型器件和MOS器件进行辐射加固的主要方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李致远		3	40	1.0	3.0