氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂

• 作者: 严辉 何斌 刘钧锴 周涛 张岩 王波 田凌 邓金祥 陈光华 陈浩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化硼薄膜 n型掺杂 离子注入
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 127-130
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 2398字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.031

摘要

通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.实验结果表明,在氮化硼薄膜中注入S,可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂;随着注入剂量的增加,氮化硼薄膜的电阻率降低.真空退火有利于氮化硼薄膜S离子注入掺杂效果的提高.在离子注入剂量为1×1016cm-2时,在600℃的温度下退火60min后,氮化硼薄膜的电阻率为2.20×105 Ω·cm,比离子注入前下降了6个数量级.