铝诱导非晶硅薄膜快速低温晶化研究

• 作者: 夏冬林 徐慢 杨晟 赵修建
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 铝诱导晶化法(AIC) 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 16-18
• 页数: 3页
• 分类号: O484|TN304
• 字数: 1834字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2006.04.005

摘要

采用金属铝诱导晶化非晶硅薄膜的方法制备多晶硅薄膜.研究了不同的退火温度对a-Si薄膜晶化的影响,采用XRD,Raman,SEM等测试手段分析了实验结果.实验结果发现非晶硅薄膜在400℃下退火20 min薄膜仍为非晶结构(a-Si),在450℃下退火20 min后非晶硅开始晶化且随着温度的升高,且晶化程度加强.