急性脑梗死患者事件相关电位及其与认知功能的相关性

• 作者: 严隽陶 杨绍菊 王念宏 顾慎为 齐瑞
• 来源期刊: 中国卒中杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 事件相关电位 认知障碍 急性脑梗死
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 688-690
• 页数: 3页
• 分类号: R74
• 字数: 2798字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5765.2006.10.005

摘要

目的 分析脑梗死患者的事件相关电位与认知障碍的关系.方法 应用简易精神状态检查量表(MMSE)和相关事件电位(ERP)的检测,分析脑梗死患者的认知功能变化与P300的关系.结果 脑梗死组MMSE评分低于正常对照组(P＜0.01),P300潜伏期高于正常对照组,振幅低于正常对照组(P＜0.0 5).脑梗死组P300潜伏期与年龄(r=0.477,P＜0.05)成正相关,与学历(r=-0.516,P＜0.05)、MMSE(r=-0.549,P＜0.05)、功能独立性评定量表(FIM)认知项呈负相关(r=-0.584,P＜0.01),而与抑郁、性别、神经功能缺损评分、MBI、既往史评分、伴发病评分等因素不相关.结论 听觉P300潜伏期可以客观反映急性脑梗死患者的认知功能障碍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王念宏		11	110	7.0	10.0