快速评价半导体器件失效激活能的方法

• 作者: 李志国 程尧海 谢雪松 郭春生 马卫东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 激活能 加速寿命试验 快速评价
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 封装测试技术
• 页码范围: 122-126
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 3022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.02.013

摘要

通过对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速评价半导体器件失效激活能的方法,建立了计算失效激活能的理论模型.并对硅pnp三极管3CG120进行额定功率下,170～345℃范围内的序进应力加速寿命试验,快速提取器件失效敏感参数hFE与所施加应力的关系,根据模型对器件退化过程中的失效机理进行研究、计算,从而确定其对应的失效激活能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志国	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室	57	418	12.0	18.0
2	郭春生	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室	44	302	10.0	15.0
3	马卫东	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室	15	132	6.0	11.0
4	程尧海	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室	17	154	6.0	12.0
5	谢雪松	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室	66	554	14.0	20.0