激光诱导单层纳米硅结构的形成及其发光特性

• 作者: 刘艳松 岑展鸿 徐骏 李伟 李鑫 陈三 陈坤基 黄信凡
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅 激光晶化 光致发光
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1016-1020
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 4152字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.012

摘要

结合激光退火与常规热退火方法对超薄非晶硅层作用,在绝缘衬底上获得了高密度的、均匀的单层纳米硅结构.所得样品通过原子力显微镜、透射电子显微镜和Raman散射谱进行表征,证实了晶化过程的发生和纳米硅晶粒的形成.在得到的5nm厚晶化样品中观察到在660nm左右范围内光致发光峰,初步的分析表明其发光与纳米硅晶粒的形成有关.