铝薄膜CMP影响因素分析

• 作者: 刘玉岭 张远祥 程东升 袁育杰
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 铝薄膜 全局平面化
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 107-111
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2006.02.009

摘要

提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型,对抛光液的pH值、磨料、氧化剂浓度对过程参数的影响做了一些试验分析.试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数:硅溶胶粒径为15～20 nm,pH值为10.8～11.2,氧化剂浓度为2.5%～3%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	张远祥	河北工业大学微电子研究所	2	21	2.0	2.0
3	袁育杰	河北工业大学微电子研究所	7	62	4.0	7.0
4	程东升	河北工业大学微电子研究所	7	21	3.0	4.0