BCD工艺概述

• 作者: 陈志勇 黄其煜 龚大卫
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: BCD工艺 双扩散金属氧化物半导体管 模块化 高压 高密度
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 641-644,659
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 4561字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.09.001

摘要

介绍了BCD(bipolar CMOS DMOS)的工艺原理、特点和发展前景.对BCD工艺兼容性进行了说明,着重阐述了LDMOS的工艺原理和关键工艺设计考虑.文章结合应用,指出BCD工艺朝着高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展,并对BCD工艺的最新进展作了概述.对电源管理和显示驱动这两大市场驱动进行了分析,并对国内企业进入该领域所面临的机会与挑战作了阐述与展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚大卫		4	9	1.0	3.0
2	陈志勇	上海交通大学微电子学院	5	27	1.0	5.0
3	黄其煜		1	0	0.0	0.0