46.2 W连续输出808 nm高功率无铝半导体激光线阵模块

• 作者: 刘云 单肖楠 套格套 姚迪 曲宙 王祥鹏 王立军 王超 苏华
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 技术研究资助项目(K05M23Z)
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 801-804
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4|TN365
• 字数: 2973字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.05.033

摘要

利用InGaAs/InGaAsP应变量子阱外延材料制作出高功率半导体激光器线阵模块,前腔面镀制了单层Al2O3,后腔面镀制了Al2O3/5(HfO2/SiO2)/HfO2,采用无氧铜热沉和高效率的液体冷却器散热.在室温下,驱动电流50 A时输出功率高达46.2 W, 最高电光转换效率41.3%,斜率效率1.15 W/A.器件中心激射波长810 nm,波长温度系数为0.28 nm/℃,光谱半峰全宽(FWHM)3 nm,寿命突破11 732 h.