晶化时间、模板剂对Si-MCM-41结构的影响

• 作者: 宋昭峥 潘胜 蒋庆哲 郑成国
• 来源期刊: 西安石油大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Si-MCM-41 孔结构 pH调节 比表面积 孔壁厚度
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 化学与化工
• 页码范围: 86-90
• 页数: 5页
• 分类号: TQ42
• 字数: 3403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-064X.2006.04.022

摘要

以有机硅为硅源,采用碱性水热合成制备Si-MCM-41,借助XRD,N2吸附-脱附表征手段系统研究晶化时间、模板剂对其长程有序结构的影响.结果表明:晶化过程中必须调节体系的pH,样品的六方晶相才会随晶化时间的增长而不断地生长和完善.长时间的晶化有利于孔壁增厚,对于提高Si-MCM-41的稳定性是有利的,但同时比表面积呈现下降趋势.综合考虑六方有序结构的生长和完善以及孔壁的厚度、比表面积等因素,确定晶化时间为120 h.增加模板剂(template)浓度会促进Si-MCM-41孔结构形成和排列的规整性,当模板剂为c(template)/c(SiO2)=0.7,六方有序度下降,适宜的c(template)/c(SiO2)应为0.5.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋昭峥	石油大学重质油国家重点实验室	22	420	10.0	20.0
2	蒋庆哲	石油大学重质油国家重点实验室	10	101	5.0	10.0
3	郑成国		1	5	1.0	1.0
4	潘胜	石油大学重质油国家重点实验室	1	5	1.0	1.0