三值双传输管电路的通用综合方法

• 作者: 杭国强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 开关电路理论 多值逻辑 逻辑综合 双传输管逻辑
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1566-1571
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 1398字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.010

摘要

提出采用双传管逻辑设计三值电路的方法,对每个MOS管的逻辑功能均采用传输运算予以表示以实现有效综合.建立了三值双传输管电路的反演法则和对偶法则.新提出的三值双传输管逻辑电路具有完全基于标准CMOS工艺,无需对MOS管作任何阈值调整,结构简单、规则,输入信号负载对称性好,逻辑摆幅完整以及无直流功耗等特点.采用TSMC 0.25μm工艺参数和最高电压为3V的HSPICE模拟结果验证了所提出综合方法的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杭国强	浙江大学信息与电子工程学系	43	205	7.0	12.0