W-CDMA手机用功放的临道泄漏的低频因素分析

• 作者: 李井龙 阎跃鹏
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 低频因素 三阶交调 临近信道功率泄漏 临近信道功率比
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 476-479
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.7
• 字数: 3256字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.02.047

摘要

分析了W-CDMA移动终端用功率放大器在AB类工作状态下由低频因素引起的非线性失真的机理,利用频域分析的方法建立了放大器的数学模型.通过模型计算了低频因素和三次交调对临近信道功率泄漏的影响,实验结果表明大功率输出时低频因素引起的临近信道功率比的恶化可达3.4 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阎跃鹏	中国科学院微电子研究所	101	427	9.0	13.0
2	李井龙	中国科学院微电子研究所	3	22	2.0	3.0