SiC抛光片表面氧化行为的XPS、SEM研究

• 作者: 李雨辰 章安辉
• 来源期刊: 现代仪器与医疗
• 关键词: SiC 表面 氧化行为
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 27-28
• 页数: 2页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7916.2006.03.010

摘要

本文利用扫描电子显微镜和X光电子能谱研究SiC抛光片表面氧化行为,发现Si面比C面的氧化更显著,产生更多的氧化产物,提出利用扫描电子显微镜和X光电子能谱来鉴别SiC晶片的Si面和C面的新方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章安辉	中国电子科技集团公司第四十六研究所	11	12	2.0	2.0
2	李雨辰	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	14	3.0	3.0